Hexagonales Bornitrid ist ein wichtiges zweidimensionales Halbleiter-Schichtmaterial. Die realisierbare Herausforderung für die zukünftige Anwendung von hexagonalem Bornitrid in integrierten Schaltkreisen besteht darin, das kontrollierbare Wachstum eines einkristallinen hexagonalen Bornitrid-Dünnfilms auf einem Wafer zu realisieren. Basierend auf dem Wachstum von (111) -orientierten Einkristall-Kupferfilmen auf Saphirsubstraten wurden die hexagonalen Bornitridwafer weiter hergestellt. Die Charakterisierung und Bestätigung von Einkristalleigenschaften großflächiger Einschichtfilme ist ein anerkanntes Problem in der zweidimensionalen Materialforschung. Mit Hilfe der vom Labor entwickelten Tief-UV-Laser-PEEM / LEEM-Ausrüstung, die ihre einzigartigen Funktionen zur Abbildung und Beugung von Oberflächenmikrobereichen verwendet, wählten die Forscher Mikrobereiche mit einer Größe von fast 100 Mikron auf der Oberfläche eines 1-Zoll-Wafers für die Strukturanalyse aus. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass die Oberflächenorientierung des hexagonalen Bornitrid-Dünnfilms vollständig mit der des Cu (111) -Substrats übereinstimmt, was die Einkristalleigenschaften des Einfilms bestätigt.
