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Einschichtiger Molybdändisulfidfilm auf hexagonalem Bornitrid-Einkristall

Feb 24, 2020

Kürzlich berichtete Zhang Guangyus Forschungsgruppe, Labor für Nanophysik und Geräte, Institut für Physik, Chinesische Akademie der Wissenschaften, dass eine einzelne Schicht eines Molybdändisulfidfilms durch chemische Gasphasenabscheidung auf hexagonalem Bornitrid-Einkristall gezüchtet wurde, und die Eigenschaften des Film wurden sorgfältig studiert. Sowohl hexagonales Bornitrid als auch Molybdändisulfid weisen eine dreifache Symmetrie auf und sind Isolatoren mit flacher Atomoberfläche. Die Filme bestehen aus zwei orientierten Körnern mit einem Winkel von 60 Grad. Die zwei orientierten Körner haben auf dem BN-Substrat den gleichen niedrigsten Energiezustand. Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie bestätigte, dass der Film nur 60 Korngrenzen aufweist. Bisher wurde die Korngrenze des Molybdändisulfidfilms minimiert. Die Qualität der Probe wird verbessert. Sie stellten den Dünnfilm zu einem Feldeffekttransistor mit einer Elektronenbeweglichkeit von etwa 30 cm²v-1s-1 und einem Schaltverhältnis von 106 her. Schließlich stellen sie die Konzentration des Wachstumsvorläufers ein, um Molybdändisulfidkörner mit unterschiedlichem Grenzwert zu erhalten Grenzen, wodurch der Anwendungsbereich der Proben erweitert wird.