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Synthese- und Transferverfahren für hochwertige Bornitrid-Dünnschichten

Aug 21, 2020

ObwohlBornitrid(BN) ist weit verbreitet und seine physikalischen und chemischen Eigenschaften sind einzigartig. Seine Anwendung ist aufgrund der Schwierigkeit im Syntheseverfahren und der Qualität des Materials begrenzt. In Anbetracht dessen hat Eugene n. CHO und Yeon sik Jung von der Koreanischen Akademie für Wissenschaft und Technologie (KAIST) berichteten über eine Methode zur Synthese von BN. Hochwertige BN-Filme wurden durch das Verfahren der durch Lösungsmittel induzierten Adhäsionsumwandlung DIAS (auflösungsinduzierte Adhäsionsumschaltung) synthetisiert. Es wurde gefunden, dass die Wechselwirkung zwischen BN BN, BN-Film und BN-Substrat durch die Kantenfunktionalisierung von BN-Filmmaterialien und die systematische Steuerung der Energie der Filmgrenzfläche und der Solvatisierung / Desolvatisierung gut gesteuert werden kann.

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Dias-Methode: BN-Nanoblätter wurden durch Harnstoff-unterstütztes Kugelmahlverfahren mit am Rand von BN-Materialien modifizierten funktionellen Hydroxylgruppen hergestellt. BN-Filme wurden durch Waschen, Dialysieren und Ultraschallbehandlung mit Wasser und anschließende Vakuumfiltration hergestellt. Darüber hinaus können die BN-Filme leicht auf die geätzten Si-Wafer, PET-Filme, Glas-, Blatt- und Goldfilme übertragen werden.

Mit diesem Verfahren können nahezu 100% BN-Filme auf verschiedene Substrate übertragen werden, sogar auf Substrate mit unregelmäßigen Oberflächen. Die BN-Filme zeigen eine sehr hohe Lichtdurchlässigkeit (GG gt; 90%), eine hohe thermische Stabilität (GG gt; 167 wm-1k-1), eine hohe Dichte und gut gestapelte Filme.

Das BN-Material weist eine ausgezeichnete Wärmeableitungsleistung und einen bemerkenswerten optischen Verstärkungseffekt auf und wird eine wichtige und wichtige Rolle bei optoelektronischen Bauelementen der nächsten Generation in den Bereichen Lumineszenz-, Fluoreszenz-, Photovoltaik-Bauelemente usw. spielen.

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